FCPF9N60NTYDTU

FCPF9N60NTYDTU
Увеличить

Только для справки

номер части FCPF9N60NTYDTU
LIXINC Part # FCPF9N60NTYDTU
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 9A TO220F-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FCPF9N60NTYDTU След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FCPF9N60NTYDTU Технические характеристики

номер части:FCPF9N60NTYDTU
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:SupreMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:29 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1240 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):29.8W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220F-3 (Y-Forming)
упаковка / чехол:TO-220-3 Full Pack, Formed Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDS2582 FDS2582 MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC 1949

Подробнее о заказе

NVMYS4D1N06CLTWG NVMYS4D1N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4 3979

Подробнее о заказе

DMN601WK-7 DMN601WK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 630387872

Подробнее о заказе

BUK7227-100B,118 BUK7227-100B,118 MOSFET N-CH 100V 48A DPAK 10620

Подробнее о заказе

SSW2N60BTM SSW2N60BTM N-CHANNEL POWER MOSFET 5531

Подробнее о заказе

FDP12N50NZ FDP12N50NZ POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 14488

Подробнее о заказе

FDU8778 FDU8778 MOSFET N-CH 25V 35A IPAK 18658

Подробнее о заказе

DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 5803

Подробнее о заказе

IRFI530NPBF IRFI530NPBF MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP 2908

Подробнее о заказе

IXTT90P10P IXTT90P10P MOSFET P-CH 100V 90A TO268 147264

Подробнее о заказе

SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 5753

Подробнее о заказе

SISA34DN-T1-GE3 SISA34DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 1555

Подробнее о заказе

SST211 SOT-143 4L SST211 SOT-143 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO 1864

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10899 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.43875$1.43875
800$1.43875$1151

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top