Только для справки
| номер части | SISA34DN-T1-GE3 |
| LIXINC Part # | SISA34DN-T1-GE3 |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SISA34DN-T1-GE3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SISA34DN-T1-GE3 |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | TrenchFET® Gen IV |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 40A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 6.7mOhm @ 10A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | +20V, -16V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1100 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 20.8W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PowerPAK® 1212-8 |
| упаковка / чехол: | PowerPAK® 1212-8 |
| SST211 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1718 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3984-ZK-E1-AY | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | 3393 Подробнее о заказе |
|
| SQM120N10-3M8_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 1705 Подробнее о заказе |
|
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | 1354 Подробнее о заказе |
|
| IRFS3006TRL7PP | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK | 2657 Подробнее о заказе |
|
| SI7141DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 19099 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4C58NT1G | MOSFET N-CH 30V 52A 5DFN | 11303 Подробнее о заказе |
|
| STP30NF20 | MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB | 1191 Подробнее о заказе |
|
| NVMFS5C628NLAFT3G | MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN | 842 Подробнее о заказе |
|
| IPB020N08N5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | 864 Подробнее о заказе |
|
| FDS4470 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 205822 Подробнее о заказе |
|
| IRF3709STRLPBF-INF | HEXFET SMPS POWER MOSFET | 2439 Подробнее о заказе |
|
| BFL4036 | MOSFET N-CH 500V 9.6A TO220F-3FS | 907 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11563 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.55000 | $0.55 |
| 3000 | $0.19747 | $592.41 |
| 6000 | $0.18543 | $1112.58 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.