SIR870DP-T1-GE3

SIR870DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR870DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR870DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR870DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR870DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR870DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:84 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2840 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

SISA34DN-T1-GE3 SISA34DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 1652

Подробнее о заказе

SST211 SOT-143 4L SST211 SOT-143 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO 1890

Подробнее о заказе

2SK3984-ZK-E1-AY 2SK3984-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 100V 18A TO252 3457

Подробнее о заказе

SQM120N10-3M8_GE3 SQM120N10-3M8_GE3 MOSFET N-CH 100V 120A TO263 1637

Подробнее о заказе

IXFR32N80P IXFR32N80P MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 1317

Подробнее о заказе

IRFS3006TRL7PP IRFS3006TRL7PP MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK 2758

Подробнее о заказе

SI7141DP-T1-GE3 SI7141DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 19137

Подробнее о заказе

NTMFS4C58NT1G NTMFS4C58NT1G MOSFET N-CH 30V 52A 5DFN 11470

Подробнее о заказе

STP30NF20 STP30NF20 MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB 1152

Подробнее о заказе

NVMFS5C628NLAFT3G NVMFS5C628NLAFT3G MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN 888

Подробнее о заказе

IPB020N08N5ATMA1 IPB020N08N5ATMA1 MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 912

Подробнее о заказе

FDS4470 FDS4470 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 205856

Подробнее о заказе

IRF3709STRLPBF-INF IRF3709STRLPBF-INF HEXFET SMPS POWER MOSFET 2473

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15861 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.63000$2.63
3000$1.33460$4003.8
6000$1.28828$7729.68

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top