NVMYS4D1N06CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMYS4D1N06CLTWG

NVMYS4D1N06CLTWG

Увеличить

Только для справки

номер части	NVMYS4D1N06CLTWG
LIXINC Part #	NVMYS4D1N06CLTWG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NVMYS4D1N06CLTWG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NVMYS4D1N06CLTWG Технические характеристики

номер части:	NVMYS4D1N06CLTWG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	Automotive, AEC-Q101
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 80µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	34 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2200 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.7W (Ta), 79W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	LFPAK4 (5x6)
упаковка / чехол:	SOT-1023, 4-LFPAK

DMN601WK-7	MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323	630387898 Подробнее о заказе
BUK7227-100B,118	MOSFET N-CH 100V 48A DPAK	10531 Подробнее о заказе
SSW2N60BTM	N-CHANNEL POWER MOSFET	5447 Подробнее о заказе
FDP12N50NZ	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	14404 Подробнее о заказе
FDU8778	MOSFET N-CH 25V 35A IPAK	18789 Подробнее о заказе
DMTH10H015LPS-13	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060	5939 Подробнее о заказе
IRFI530NPBF	MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP	2848 Подробнее о заказе
IXTT90P10P	MOSFET P-CH 100V 90A TO268	147236 Подробнее о заказе
SIR870DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8	5944 Подробнее о заказе
SISA34DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8	1540 Подробнее о заказе
SST211 SOT-143 4L	HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO	1857 Подробнее о заказе
2SK3984-ZK-E1-AY	MOSFET N-CH 100V 18A TO252	3319 Подробнее о заказе
SQM120N10-3M8_GE3	MOSFET N-CH 100V 120A TO263	1585 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.51436	$0.51436

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015