Только для справки
| номер части | FDP12N50NZ |
| LIXINC Part # | FDP12N50NZ |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDP12N50NZ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDP12N50NZ |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | * |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 500 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 11.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 520mOhm @ 5.75A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 30 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±25V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.235 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 170W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| FDU8778 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | 18611 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H015LPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 5807 Подробнее о заказе |
|
| IRFI530NPBF | MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP | 2833 Подробнее о заказе |
|
| IXTT90P10P | MOSFET P-CH 100V 90A TO268 | 147211 Подробнее о заказе |
|
| SIR870DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | 5783 Подробнее о заказе |
|
| SISA34DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | 1664 Подробнее о заказе |
|
| SST211 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1821 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3984-ZK-E1-AY | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | 3488 Подробнее о заказе |
|
| SQM120N10-3M8_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 1619 Подробнее о заказе |
|
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | 1367 Подробнее о заказе |
|
| IRFS3006TRL7PP | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK | 2738 Подробнее о заказе |
|
| SI7141DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 19189 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4C58NT1G | MOSFET N-CH 30V 52A 5DFN | 11418 Подробнее о заказе |
| В наличии | 14443 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.69000 | $0.69 |
| 10 | $0.62335 | $6.2335 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.