Только для справки
| номер части | SSW2N60BTM |
| LIXINC Part # | SSW2N60BTM |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SSW2N60BTM След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SSW2N60BTM |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | * |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | - |
| напряжение сток-исток (vdss): | - |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | - |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | - |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| FDP12N50NZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 14528 Подробнее о заказе |
|
| FDU8778 | MOSFET N-CH 25V 35A IPAK | 18793 Подробнее о заказе |
|
| DMTH10H015LPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 5817 Подробнее о заказе |
|
| IRFI530NPBF | MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP | 2860 Подробнее о заказе |
|
| IXTT90P10P | MOSFET P-CH 100V 90A TO268 | 147196 Подробнее о заказе |
|
| SIR870DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 | 5921 Подробнее о заказе |
|
| SISA34DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 | 1630 Подробнее о заказе |
|
| SST211 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1811 Подробнее о заказе |
|
| 2SK3984-ZK-E1-AY | MOSFET N-CH 100V 18A TO252 | 3318 Подробнее о заказе |
|
| SQM120N10-3M8_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 1757 Подробнее о заказе |
|
| IXFR32N80P | MOSFET N-CH 800V 20A ISOPLUS247 | 1394 Подробнее о заказе |
|
| IRFS3006TRL7PP | MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK | 2674 Подробнее о заказе |
|
| SI7141DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 19056 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15495 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.43000 | $0.43 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.