FDS2582

FDS2582
Увеличить

Только для справки

номер части FDS2582
LIXINC Part # FDS2582
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDS2582 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDS2582 Технические характеристики

номер части:FDS2582
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:4.1A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:66mOhm @ 4.1A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1290 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-SOIC
упаковка / чехол:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NVMYS4D1N06CLTWG NVMYS4D1N06CLTWG MOSFET N-CH 60V 22A/100A LFPAK4 3897

Подробнее о заказе

DMN601WK-7 DMN601WK-7 MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323 630387960

Подробнее о заказе

BUK7227-100B,118 BUK7227-100B,118 MOSFET N-CH 100V 48A DPAK 10652

Подробнее о заказе

SSW2N60BTM SSW2N60BTM N-CHANNEL POWER MOSFET 5595

Подробнее о заказе

FDP12N50NZ FDP12N50NZ POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 14573

Подробнее о заказе

FDU8778 FDU8778 MOSFET N-CH 25V 35A IPAK 18625

Подробнее о заказе

DMTH10H015LPS-13 DMTH10H015LPS-13 MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 5846

Подробнее о заказе

IRFI530NPBF IRFI530NPBF MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP 2864

Подробнее о заказе

IXTT90P10P IXTT90P10P MOSFET P-CH 100V 90A TO268 147334

Подробнее о заказе

SIR870DP-T1-GE3 SIR870DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8 5922

Подробнее о заказе

SISA34DN-T1-GE3 SISA34DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8 1547

Подробнее о заказе

SST211 SOT-143 4L SST211 SOT-143 4L HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO 1735

Подробнее о заказе

2SK3984-ZK-E1-AY 2SK3984-ZK-E1-AY MOSFET N-CH 100V 18A TO252 3307

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11879 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.07000$1.07
2500$0.55895$1397.375
5000$0.53255$2662.75
12500$0.51368$6421

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top