Только для справки
| номер части | FDV305N |
| LIXINC Part # | FDV305N |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDV305N След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDV305N |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 20 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 900mA (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 2.5V, 4.5V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 220mOhm @ 900mA, 4.5V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.5V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 1.5 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 109 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 350mW (Ta) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | SOT-23 |
| упаковка / чехол: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| SI3443BDV-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP | 970 Подробнее о заказе |
|
| DMP4065S-13 | MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23 | 957 Подробнее о заказе |
|
| STB150NF04 | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | 872 Подробнее о заказе |
|
| AONS36314 | MOSFET N-CH 30V 36.5A/85A 8DFN | 1854 Подробнее о заказе |
|
| IPI075N15N3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1469 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6002LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 20464 Подробнее о заказе |
|
| UF3C065080B7S | SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7 | 1763 Подробнее о заказе |
|
| FQP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | 997 Подробнее о заказе |
|
| SIR424DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | 8046 Подробнее о заказе |
|
| BSZ180P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON | 5911 Подробнее о заказе |
|
| IXTH10P60 | MOSFET P-CH 600V 10A TO247 | 317424 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S209ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 2217 Подробнее о заказе |
|
| IXFH22N60P3 | MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD | 4665132 Подробнее о заказе |
| В наличии | 18842 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.09000 | $0.09 |
| 3000 | $0.02336 | $70.08 |
| 6000 | $0.02207 | $132.42 |
| 15000 | $0.02012 | $301.8 |
| 30000 | $0.01882 | $564.6 |
| 75000 | $0.01687 | $1265.25 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.