Только для справки
| номер части | AONS36314 |
| LIXINC Part # | AONS36314 |
| Производитель | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 36.5A/85A 8DFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | AONS36314 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | AONS36314 |
| Бренд: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 36.5A (Ta), 85A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 2.9mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 1.9V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 40 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1890 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 6.2W (Ta), 42W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 8-DFN-EP (5x6) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerVDFN |
| IPI075N15N3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1465 Подробнее о заказе |
|
| DMTH6002LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 20562 Подробнее о заказе |
|
| UF3C065080B7S | SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7 | 1747 Подробнее о заказе |
|
| FQP50N06 | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 | 835 Подробнее о заказе |
|
| SIR424DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | 8033 Подробнее о заказе |
|
| BSZ180P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON | 5878 Подробнее о заказе |
|
| IXTH10P60 | MOSFET P-CH 600V 10A TO247 | 317487 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S209ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 2287 Подробнее о заказе |
|
| IXFH22N60P3 | MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD | 4665145 Подробнее о заказе |
|
| DMN21D2UFB-7B | MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN | 8265 Подробнее о заказе |
|
| IRF123 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 1725 Подробнее о заказе |
|
| AOT260L | MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220 | 1900 Подробнее о заказе |
|
| IRF7759L2TRPBF | MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET | 14085 Подробнее о заказе |
| В наличии | 12030 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.84000 | $0.84 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.