Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S209ATMA2

IPB80N06S209ATMA2
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S209ATMA2
LIXINC Part # IPB80N06S209ATMA2
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S209ATMA2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S209ATMA2 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S209ATMA2
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:8.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 125µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.36 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):190W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S209ATMA2 Документы

if IPB80N06S209ATMA2 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD 4665199

Подробнее о заказе
DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN 8265

Подробнее о заказе
IRF123 IRF123 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET 1675

Подробнее о заказе
AOT260L AOT260L MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220 1854

Подробнее о заказе
IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET 13969

Подробнее о заказе
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 1123

Подробнее о заказе
NVF2955T1G NVF2955T1G MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 906

Подробнее о заказе
IXFH24N80P IXFH24N80P MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD 1278

Подробнее о заказе
DMT10H009LSS-13 DMT10H009LSS-13 MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R 5841

Подробнее о заказе
IXTP300N04T2 IXTP300N04T2 MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB 977

Подробнее о заказе
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP 6036

Подробнее о заказе
FQPF630 FQPF630 MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F 18874920

Подробнее о заказе
APT34F100B2 APT34F100B2 MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX 860

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12292 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.86000$0.86
1000$0.84376$843.76

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top