UF3C065080B7S

UF3C065080B7S
Увеличить

Только для справки

номер части UF3C065080B7S
LIXINC Part # UF3C065080B7S
Производитель UnitedSiC
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD UF3C065080B7S След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 22 - Jan 26 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

UF3C065080B7S Технические характеристики

номер части:UF3C065080B7S
Бренд:UnitedSiC
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:UnitedSiC
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:SiCFET (Cascode SiCJFET)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:27A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):-
rds on (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 12V
vgs(th) (макс.) @ id:6V @ 10mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 12 V
ВГС (макс.):±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):136.4W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D2PAK-7
упаковка / чехол:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQP50N06 FQP50N06 MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 836

Подробнее о заказе

SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 8129

Подробнее о заказе

BSZ180P03NS3GATMA1 BSZ180P03NS3GATMA1 MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON 5906

Подробнее о заказе

IXTH10P60 IXTH10P60 MOSFET P-CH 600V 10A TO247 317482

Подробнее о заказе

IPB80N06S209ATMA2 IPB80N06S209ATMA2 MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 2216

Подробнее о заказе

IXFH22N60P3 IXFH22N60P3 MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD 4665104

Подробнее о заказе

DMN21D2UFB-7B DMN21D2UFB-7B MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN 8164

Подробнее о заказе

IRF123 IRF123 N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET 1544

Подробнее о заказе

AOT260L AOT260L MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220 1882

Подробнее о заказе

IRF7759L2TRPBF IRF7759L2TRPBF MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET 14134

Подробнее о заказе

SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 1177

Подробнее о заказе

NVF2955T1G NVF2955T1G MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 884

Подробнее о заказе

IXFH24N80P IXFH24N80P MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD 1108

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11724 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$8.38000$8.38

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top