Только для справки
| номер части | FQP50N06 |
| LIXINC Part # | FQP50N06 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FQP50N06 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FQP50N06 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | QFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Not For New Designs |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 50A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 22mOhm @ 25A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 41 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±25V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1540 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 120W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| SIR424DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8 | 8045 Подробнее о заказе |
|
| BSZ180P03NS3GATMA1 | MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON | 5835 Подробнее о заказе |
|
| IXTH10P60 | MOSFET P-CH 600V 10A TO247 | 317377 Подробнее о заказе |
|
| IPB80N06S209ATMA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2 | 2308 Подробнее о заказе |
|
| IXFH22N60P3 | MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD | 4665142 Подробнее о заказе |
|
| DMN21D2UFB-7B | MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN | 8082 Подробнее о заказе |
|
| IRF123 | N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET | 1691 Подробнее о заказе |
|
| AOT260L | MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220 | 1909 Подробнее о заказе |
|
| IRF7759L2TRPBF | MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET | 14072 Подробнее о заказе |
|
| SPA20N60CFDXKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 1289 Подробнее о заказе |
|
| NVF2955T1G | MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223 | 995 Подробнее о заказе |
|
| IXFH24N80P | MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD | 1212 Подробнее о заказе |
|
| DMT10H009LSS-13 | MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R | 5978 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11016 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.54000 | $1.54 |
| 10 | $1.36328 | $13.6328 |
| 100 | $1.07724 | $107.724 |
| 500 | $0.83544 | $417.72 |
| 1000 | $0.65955 | $659.55 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.