SIR424DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIR424DP-T1-GE3 | SIR424DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIR424DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIR424DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIR424DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIR424DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIR424DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIR424DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1250 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

BSZ180P03NS3GATMA1	MOSFET P-CH 30V 9A/39.6A TSDSON	5908 Подробнее о заказе
IXTH10P60	MOSFET P-CH 600V 10A TO247	317526 Подробнее о заказе
IPB80N06S209ATMA2	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2	2219 Подробнее о заказе
IXFH22N60P3	MOSFET N-CH 600V 22A TO247AD	4665284 Подробнее о заказе
DMN21D2UFB-7B	MOSFET N-CH 20V 760MA 3DFN	8160 Подробнее о заказе
IRF123	N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET	1580 Подробнее о заказе
AOT260L	MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO220	1801 Подробнее о заказе
IRF7759L2TRPBF	MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET	13948 Подробнее о заказе
SPA20N60CFDXKSA1	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	1223 Подробнее о заказе
NVF2955T1G	MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223	983 Подробнее о заказе
IXFH24N80P	MOSFET N-CH 800V 24A TO247AD	1200 Подробнее о заказе
DMT10H009LSS-13	MOSFET N-CH 100V 13A/48A 8SO T&R	5993 Подробнее о заказе
IXTP300N04T2	MOSFET N-CH 40V 300A TO220AB	937 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015