Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD60N10S412ATMA1

IPD60N10S412ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD60N10S412ATMA1
LIXINC Part # IPD60N10S412ATMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3-313
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD60N10S412ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD60N10S412ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD60N10S412ATMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:12.2mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:34 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2.47 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):94W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3-313
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD60N10S412ATMA1 Документы

if IPD60N10S412ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FK3906010L FK3906010L MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3 863

Подробнее о заказе
FDB0105N407L FDB0105N407L MOSFET N-CH 40V 460A TO263-7 833

Подробнее о заказе
IPD65R225C7ATMA1 IPD65R225C7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 7724

Подробнее о заказе
FQA18N50V2 FQA18N50V2 MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 1289

Подробнее о заказе
PSMN035-150B,118 PSMN035-150B,118 MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK 894

Подробнее о заказе
STF10N60M2 STF10N60M2 MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP 1537

Подробнее о заказе
PSMN059-150Y,115 PSMN059-150Y,115 MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 816

Подробнее о заказе
SPD30N03S2L20GBTMA1 SPD30N03S2L20GBTMA1 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 20942

Подробнее о заказе
IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK 857

Подробнее о заказе
FCH125N60E FCH125N60E MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 1010

Подробнее о заказе
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK 3946

Подробнее о заказе
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK 1927

Подробнее о заказе
STW37N60DM2AG STW37N60DM2AG MOSFET N-CH 600V 28A TO247 977

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10595 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.55000$0.55
2500$0.51713$1292.825

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top