Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPD30N03S2L20GBTMA1

SPD30N03S2L20GBTMA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPD30N03S2L20GBTMA1
LIXINC Part # SPD30N03S2L20GBTMA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPD30N03S2L20GBTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPD30N03S2L20GBTMA1 Технические характеристики

номер части:SPD30N03S2L20GBTMA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:20mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 23µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:19 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:700 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):60W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPD30N03S2L20GBTMA1 Документы

if SPD30N03S2L20GBTMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFS4115TRLPBF IRFS4115TRLPBF MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK 970

Подробнее о заказе
FCH125N60E FCH125N60E MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 1060

Подробнее о заказе
NTMYS2D4N04CTWG NTMYS2D4N04CTWG MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK 3946

Подробнее о заказе
SIRA99DP-T1-GE3 SIRA99DP-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK 1858

Подробнее о заказе
STW37N60DM2AG STW37N60DM2AG MOSFET N-CH 600V 28A TO247 916

Подробнее о заказе
BUK7Y7R8-80EX BUK7Y7R8-80EX MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 907

Подробнее о заказе
SI2301A-TP SI2301A-TP MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23 32771

Подробнее о заказе
SI7190DP-T1-GE3 SI7190DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 6105

Подробнее о заказе
DN2540N3-G-P003 DN2540N3-G-P003 MOSFET N-CH 400V 120MA TO92 2553

Подробнее о заказе
BSC014N04LSTATMA1 BSC014N04LSTATMA1 MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON 6051

Подробнее о заказе
DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN 26558

Подробнее о заказе
SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 MOSFET N-CH 100V 86A DPAK 1170

Подробнее о заказе
SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC 4914

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 20935 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.31000$0.31

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top