Только для справки
| номер части | IPD65R225C7ATMA1 |
| LIXINC Part # | IPD65R225C7ATMA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPD65R225C7ATMA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPD65R225C7ATMA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | CoolMOS™ C7 |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 11A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 225mOhm @ 4.8A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 240µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 996 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 63W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO252-3 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FQA18N50V2 | MOSFET N-CH 500V 20A TO3P | 1307 Подробнее о заказе |
|
| PSMN035-150B,118 | MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK | 902 Подробнее о заказе |
|
| STF10N60M2 | MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP | 1518 Подробнее о заказе |
|
| PSMN059-150Y,115 | MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK56 | 876 Подробнее о заказе |
|
| SPD30N03S2L20GBTMA1 | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 | 20889 Подробнее о заказе |
|
| IRFS4115TRLPBF | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK | 983 Подробнее о заказе |
|
| FCH125N60E | MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3 | 1099 Подробнее о заказе |
|
| NTMYS2D4N04CTWG | MOSFET N-CH 40V 30A/138A 4LFPAK | 3886 Подробнее о заказе |
|
| SIRA99DP-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK | 1855 Подробнее о заказе |
|
| STW37N60DM2AG | MOSFET N-CH 600V 28A TO247 | 834 Подробнее о заказе |
|
| BUK7Y7R8-80EX | MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56 | 807 Подробнее о заказе |
|
| SI2301A-TP | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23 | 32807 Подробнее о заказе |
|
| SI7190DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 | 6128 Подробнее о заказе |
| В наличии | 17910 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $2.57000 | $2.57 |
| 2500 | $1.17811 | $2945.275 |
| 5000 | $1.13448 | $5672.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.