SIRA99DP-T1-GE3 | Vishay / Siliconix SIRA99DP-T1-GE3 | SIRA99DP-T1-GE3 Inventory, Best Pricing

SIRA99DP-T1-GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SIRA99DP-T1-GE3
LIXINC Part #	SIRA99DP-T1-GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET P-CH 30V 47.9A/195A PPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SIRA99DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SIRA99DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:	SIRA99DP-T1-GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	TrenchFET® Gen IV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	P-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	47.9A (Ta), 195A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	260 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	+16V, -20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	10955 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.35W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:	PowerPAK® SO-8

STW37N60DM2AG	MOSFET N-CH 600V 28A TO247	884 Подробнее о заказе
BUK7Y7R8-80EX	MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56	835 Подробнее о заказе
SI2301A-TP	MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23	32808 Подробнее о заказе
SI7190DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8	6017 Подробнее о заказе
DN2540N3-G-P003	MOSFET N-CH 400V 120MA TO92	2588 Подробнее о заказе
BSC014N04LSTATMA1	MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON	5944 Подробнее о заказе
DMN2400UFB-7	MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN	26556 Подробнее о заказе
SQR70090ELR_GE3	MOSFET N-CH 100V 86A DPAK	1293 Подробнее о заказе
SI4848ADY-T1-GE3	MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC	4856 Подробнее о заказе
TK10A60W,S4VX	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS	830 Подробнее о заказе
SI1302DL-T1-BE3	MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3	3832 Подробнее о заказе
SSM3J56MFV,L3F	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM	192649 Подробнее о заказе
BSO051N03MSGXUMA1	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	3407 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.87000	$2.87

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015