NTBGS6D5N15MC

NTBGS6D5N15MC
Увеличить

Только для справки

номер части NTBGS6D5N15MC
LIXINC Part # NTBGS6D5N15MC
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 150V 15A/121A D2PAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NTBGS6D5N15MC След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NTBGS6D5N15MC Технические характеристики

номер части:NTBGS6D5N15MC
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):150 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:15A (Ta), 121A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):8V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7mOhm @ 69A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 379µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:57 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4745 pF @ 75 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.7W (Ta), 238W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK (TO-263)
упаковка / чехол:TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NTMYS3D8N04CLTWG NTMYS3D8N04CLTWG MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK 909

Подробнее о заказе

SQJQ142E-T1_GE3 SQJQ142E-T1_GE3 MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8 2977

Подробнее о заказе

RJK03J3DPA-00#J5A RJK03J3DPA-00#J5A N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET 27868

Подробнее о заказе

NVB110N65S3F NVB110N65S3F MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3 937

Подробнее о заказе

NTMFS4C025NT3G NTMFS4C025NT3G MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN 5965

Подробнее о заказе

IPC60R160C6X1SA1 IPC60R160C6X1SA1 MOSFET N-CH BARE DIE 881

Подробнее о заказе

JDX5010 JDX5010 NFET T0220FP JPN 28394

Подробнее о заказе

TK3R3A06PL,S4X TK3R3A06PL,S4X X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 1045

Подробнее о заказе

DMT67M8LCGQ-7 DMT67M8LCGQ-7 MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN 987

Подробнее о заказе

2SJ133-Z-E1-AZ 2SJ133-Z-E1-AZ POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 6756

Подробнее о заказе

RFD16N03LSM RFD16N03LSM N-CHANNEL POWER MOSFET 2875

Подробнее о заказе

HUF76122P3 HUF76122P3 HUF76122P3 1000

Подробнее о заказе

BUK7E5R2-100E,127-NXP BUK7E5R2-100E,127-NXP PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM 897

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 80011395 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$4.17000$4.17

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top