Только для справки
| номер части | NTMFS4C025NT3G |
| LIXINC Part # | NTMFS4C025NT3G |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | NTMFS4C025NT3G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | NTMFS4C025NT3G |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 20A (Ta), 69A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.41mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.1V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1683 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 2.55W (Ta), 30.5W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| IPC60R160C6X1SA1 | MOSFET N-CH BARE DIE | 946 Подробнее о заказе |
|
| JDX5010 | NFET T0220FP JPN | 28347 Подробнее о заказе |
|
| TK3R3A06PL,S4X | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | 1077 Подробнее о заказе |
|
| DMT67M8LCGQ-7 | MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN | 961 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ133-Z-E1-AZ | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 6740 Подробнее о заказе |
|
| RFD16N03LSM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2875 Подробнее о заказе |
|
| HUF76122P3 | HUF76122P3 | 801 Подробнее о заказе |
|
| BUK7E5R2-100E,127-NXP | PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM | 906 Подробнее о заказе |
|
| MTB75N06HD | N-CHANNEL POWER MOSFET | 976 Подробнее о заказе |
|
| IPB108N15N3G | IPB108N15 - 12V-300V N-CHANNEL P | 902 Подробнее о заказе |
|
| 2SK544D | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 59482 Подробнее о заказе |
|
| RJK0380DPA-WS#J53 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | 907 Подробнее о заказе |
|
| RFM12P10 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 826 Подробнее о заказе |
| В наличии | 15968 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.17736 | $0.17736 |
| 5000 | $0.17736 | $886.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.