NTMYS3D8N04CLTWG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMYS3D8N04CLTWG

NTMYS3D8N04CLTWG

Увеличить

Только для справки

номер части	NTMYS3D8N04CLTWG
LIXINC Part #	NTMYS3D8N04CLTWG
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 40V 22A/87A 4LFPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTMYS3D8N04CLTWG След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTMYS3D8N04CLTWG Технические характеристики

номер части:	NTMYS3D8N04CLTWG
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	22A (Ta), 87A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 50µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1600 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	3.6W (Ta), 55W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	4-LFPAK
упаковка / чехол:	SOT-1023, 4-LFPAK

SQJQ142E-T1_GE3	MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8	3011 Подробнее о заказе
RJK03J3DPA-00#J5A	N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET	27940 Подробнее о заказе
NVB110N65S3F	MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3	869 Подробнее о заказе
NTMFS4C025NT3G	MOSFET N-CH 30V 20A/69A 5DFN	5987 Подробнее о заказе
IPC60R160C6X1SA1	MOSFET N-CH BARE DIE	964 Подробнее о заказе
JDX5010	NFET T0220FP JPN	28314 Подробнее о заказе
TK3R3A06PL,S4X	X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR	1119 Подробнее о заказе
DMT67M8LCGQ-7	MOSFET N-CH 60V 16A/64.6A 8DFN	967 Подробнее о заказе
2SJ133-Z-E1-AZ	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	6675 Подробнее о заказе
RFD16N03LSM	N-CHANNEL POWER MOSFET	3012 Подробнее о заказе
HUF76122P3	HUF76122P3	860 Подробнее о заказе
BUK7E5R2-100E,127-NXP	PFET, 120A I(D), 100V, 0.0052OHM	861 Подробнее о заказе
MTB75N06HD	N-CHANNEL POWER MOSFET	878 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.40656	$0.40656

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015