Только для справки
| номер части | FCMT080N65S3 |
| LIXINC Part # | FCMT080N65S3 |
| Производитель | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FCMT080N65S3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FCMT080N65S3 |
| Бренд: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| ряд: | SuperFET® III |
| упаковка: | Tape & Reel (TR) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 650 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 38A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 80mOhm @ 19A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 880µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 71 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2765 pF @ 400 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 260W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | 4-TDFN (8x8) |
| упаковка / чехол: | 4-PowerTSFN |
| AUIRFS4010-7TRL | MOSFET N-CH 100V 180A TO263 | 101209 Подробнее о заказе |
|
| 2SJ199(0)-T1-AZ | P-CHANNEL POWER MOSFET | 14802 Подробнее о заказе |
|
| BB504CDS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 57831 Подробнее о заказе |
|
| SVD5865NLT4G | 60V 0.019OHM N-CHANNEL MOSFET | 830 Подробнее о заказе |
|
| IRFP245 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1300 Подробнее о заказе |
|
| BSC8899N03MS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5863 Подробнее о заказе |
|
| IMZ120R140M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4 | 1146 Подробнее о заказе |
|
| 5HN02M-TL-E | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 159853 Подробнее о заказе |
|
| IRF9512 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 5194 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1959-T1-AZ | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 17227 Подробнее о заказе |
|
| NVB082N65S3F | MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 | 1990 Подробнее о заказе |
|
| IPT043N15N5ATMA1 | MV POWER MOS | 828 Подробнее о заказе |
|
| NVATS5A113PLZT4G | MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK | 871 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10881 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.28020 | $3.2802 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.