NVB082N65S3F

NVB082N65S3F
Увеличить

Только для справки

номер части NVB082N65S3F
LIXINC Part # NVB082N65S3F
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVB082N65S3F След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVB082N65S3F Технические характеристики

номер части:NVB082N65S3F
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:82mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:5V @ 4mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:81 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3410 pF @ 400 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):313W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:D²PAK-3 (TO-263-3)
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPT043N15N5ATMA1 IPT043N15N5ATMA1 MV POWER MOS 913

Подробнее о заказе

NVATS5A113PLZT4G NVATS5A113PLZT4G MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK 883

Подробнее о заказе

STFH10N60M6 STFH10N60M6 MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP 989

Подробнее о заказе

RJK4006DPP-G1#T2 RJK4006DPP-G1#T2 N-CHANNEL POWER MOSFET 8943

Подробнее о заказе

FDMS0355S FDMS0355S POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 6846

Подробнее о заказе

RFP25N06L RFP25N06L N-CHANNEL, MOSFET 2307

Подробнее о заказе

DMN63D1LT-7 DMN63D1LT-7 MOSFET N-CH 60V 320MA SOT523 174851

Подробнее о заказе

SQ3493EV-T1_GE3 SQ3493EV-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP 3904

Подробнее о заказе

6HN04MH-TL-E 6HN04MH-TL-E N-CHANNEL POWER MOSFET 150812

Подробнее о заказе

NVD5807NT4G-VF01 NVD5807NT4G-VF01 MOSFET N-CH 40V 23A DPAK 8399

Подробнее о заказе

NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN 168023488

Подробнее о заказе

IRF712 IRF712 N-CHANNEL POWER MOSFET 1846

Подробнее о заказе

UPA2200T1M-T2-AT UPA2200T1M-T2-AT N-CHANNEL POWER MOSFET 1086801

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11881 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$9.31000$9.31
800$9.31000$7448
1600$8.72145$13954.32
2400$8.30944$19942.656

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top