Только для справки
| номер части | SVD5865NLT4G |
| LIXINC Part # | SVD5865NLT4G |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | 60V 0.019OHM N-CHANNEL MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SVD5865NLT4G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SVD5865NLT4G |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | Automotive, AEC-Q101 |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 10A (Ta), 46A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 16mOhm @ 19A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 29 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1400 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.1W (Ta), 71W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK (SINGLE GAUGE) |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| IRFP245 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1268 Подробнее о заказе |
|
| BSC8899N03MS | N-CHANNEL POWER MOSFET | 5769 Подробнее о заказе |
|
| IMZ120R140M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4 | 1203 Подробнее о заказе |
|
| 5HN02M-TL-E | N-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET | 159943 Подробнее о заказе |
|
| IRF9512 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 5140 Подробнее о заказе |
|
| 2SK1959-T1-AZ | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 17359 Подробнее о заказе |
|
| NVB082N65S3F | MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3 | 1863 Подробнее о заказе |
|
| IPT043N15N5ATMA1 | MV POWER MOS | 997 Подробнее о заказе |
|
| NVATS5A113PLZT4G | MOSFET P-CHANNEL 60V 38A ATPAK | 871 Подробнее о заказе |
|
| STFH10N60M6 | MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220FP | 840 Подробнее о заказе |
|
| RJK4006DPP-G1#T2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 8966 Подробнее о заказе |
|
| FDMS0355S | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | 6960 Подробнее о заказе |
|
| RFP25N06L | N-CHANNEL, MOSFET | 2371 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10921 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.28000 | $0.28 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.