BSZ0803LSATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSZ0803LSATMA1 | BSZ0803LSATMA1 Inventory, Best Pricing

BSZ0803LSATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	BSZ0803LSATMA1
LIXINC Part #	BSZ0803LSATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 9A/40A TSDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSZ0803LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSZ0803LSATMA1 Технические характеристики

номер части:	BSZ0803LSATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™ 5
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9A (Ta), 40A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	14.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.3V @ 23µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.1W (Ta), 52W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TSDSON-8-FL
упаковка / чехол:	8-PowerTDFN

STD10N60M2	MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK	895 Подробнее о заказе
IPD80R3K3P7ATMA1	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3	3490 Подробнее о заказе
IPD50N06S214ATMA2	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31	857 Подробнее о заказе
FCD620N60ZF	MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK	3420 Подробнее о заказе
IRFBC30APBF-BE3	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB	1979 Подробнее о заказе
SQJA72EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8	1902 Подробнее о заказе
FQD8N25TF	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK	34338 Подробнее о заказе
NTD4404N1G	N-CHANNEL POWER MOSFET	10264 Подробнее о заказе
HUF76143S3	MOSFET N-CHANNEL 30V 75A	4887 Подробнее о заказе
PH3120L,115	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	847 Подробнее о заказе
2SK3635-Z-E1-AZ	MOSFET N-CH 200V 8A TO252	8914 Подробнее о заказе
IRF9Z10PBF	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB	2912 Подробнее о заказе
CSD16321Q5	MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON	82382 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$1.25000	$1.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015