IPD80R3K3P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD80R3K3P7ATMA1 | IPD80R3K3P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD80R3K3P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD80R3K3P7ATMA1
LIXINC Part #	IPD80R3K3P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD80R3K3P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD80R3K3P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD80R3K3P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 30µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	5.8 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	120 pF @ 500 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	18W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD50N06S214ATMA2	MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31	852 Подробнее о заказе
FCD620N60ZF	MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK	3403 Подробнее о заказе
IRFBC30APBF-BE3	MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB	1836 Подробнее о заказе
SQJA72EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8	2032 Подробнее о заказе
FQD8N25TF	MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK	34301 Подробнее о заказе
NTD4404N1G	N-CHANNEL POWER MOSFET	10107 Подробнее о заказе
HUF76143S3	MOSFET N-CHANNEL 30V 75A	4919 Подробнее о заказе
PH3120L,115	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	916 Подробнее о заказе
2SK3635-Z-E1-AZ	MOSFET N-CH 200V 8A TO252	8961 Подробнее о заказе
IRF9Z10PBF	MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB	2782 Подробнее о заказе
CSD16321Q5	MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON	82296 Подробнее о заказе
NX138BKR	MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB	1013 Подробнее о заказе
BUZ111SLE3045A	MOSFET N-CH 50V 80A TO263	2850 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015