STD10N60M2

STD10N60M2
Увеличить

Только для справки

номер части STD10N60M2
LIXINC Part # STD10N60M2
Производитель STMicroelectronics
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD STD10N60M2 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

STD10N60M2 Технические характеристики

номер части:STD10N60M2
Бренд:STMicroelectronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:STMicroelectronics
ряд:MDmesh™ II Plus
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:7.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:13.5 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±25V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 100 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):85W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:DPAK
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD80R3K3P7ATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3 3373

Подробнее о заказе

IPD50N06S214ATMA2 IPD50N06S214ATMA2 MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31 867

Подробнее о заказе

FCD620N60ZF FCD620N60ZF MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK 3454

Подробнее о заказе

IRFBC30APBF-BE3 IRFBC30APBF-BE3 MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB 1864

Подробнее о заказе

SQJA72EP-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8 1858

Подробнее о заказе

FQD8N25TF FQD8N25TF MOSFET N-CH 250V 6.2A DPAK 34329

Подробнее о заказе

NTD4404N1G NTD4404N1G N-CHANNEL POWER MOSFET 10142

Подробнее о заказе

HUF76143S3 HUF76143S3 MOSFET N-CHANNEL 30V 75A 4803

Подробнее о заказе

PH3120L,115 PH3120L,115 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 937

Подробнее о заказе

2SK3635-Z-E1-AZ 2SK3635-Z-E1-AZ MOSFET N-CH 200V 8A TO252 8874

Подробнее о заказе

IRF9Z10PBF IRF9Z10PBF MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB 2849

Подробнее о заказе

CSD16321Q5 CSD16321Q5 MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON 82400

Подробнее о заказе

NX138BKR NX138BKR MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB 1004

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10974 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.29000$1.29
2500$0.75973$1899.325
5000$0.72591$3629.55
12500$0.70176$8772

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top