NVMFS5C460NLAFT1G

NVMFS5C460NLAFT1G
Увеличить

Только для справки

номер части NVMFS5C460NLAFT1G
LIXINC Part # NVMFS5C460NLAFT1G
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD NVMFS5C460NLAFT1G След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFS5C460NLAFT1G Технические характеристики

номер части:NVMFS5C460NLAFT1G
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:Automotive, AEC-Q101
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:21A (Ta), 78A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1300 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3.6W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:5-DFN (5x6) (8-SOFL)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN, 5 Leads

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FDD6672A FDD6672A MOSFET N-CH 30V 65A TO252 70315

Подробнее о заказе

FQPF22P10 FQPF22P10 MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F 983

Подробнее о заказе

FQB8N60CTM FQB8N60CTM MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK 1551

Подробнее о заказе

SQ4153EY-T1_BE3 SQ4153EY-T1_BE3 MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC 3466

Подробнее о заказе

FQI11P06TU FQI11P06TU MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK 6882

Подробнее о заказе

NTA4015NT1G NTA4015NT1G MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 174877

Подробнее о заказе

IRF223 IRF223 N-CHANNEL POWER MOSFET 836

Подробнее о заказе

STP24N60M6 STP24N60M6 MOSFET N-CH 600V TO220 1856

Подробнее о заказе

STB2N62K3 STB2N62K3 MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263 948

Подробнее о заказе

IPB60R055CFD7ATMA1 IPB60R055CFD7ATMA1 MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2 824

Подробнее о заказе

STP140N6F7 STP140N6F7 MOSFET N-CH 60V 80A TO220 826

Подробнее о заказе

IXTY1R6N50D2-TRL IXTY1R6N50D2-TRL MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA 3499

Подробнее о заказе

SI9407BDY-T1-E3 SI9407BDY-T1-E3 MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO 831

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10918 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.87000$0.87
1500$0.43384$650.76
3000$0.39317$1179.51
7500$0.36605$2745.375
10500$0.35250$3701.25

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top