Только для справки
| номер части | FDD6672A |
| LIXINC Part # | FDD6672A |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 30V 65A TO252 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | FDD6672A След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | FDD6672A |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | PowerTrench® |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 65A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 8mOhm @ 14A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 46 nC @ 4.5 V |
| ВГС (макс.): | ±12V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 5.07 pF @ 15 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 3.2W (Ta), 70W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-252 |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| FQPF22P10 | MOSFET P-CH 100V 13.2A TO220F | 949 Подробнее о заказе |
|
| FQB8N60CTM | MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK | 1493 Подробнее о заказе |
|
| SQ4153EY-T1_BE3 | MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC | 3296 Подробнее о заказе |
|
| FQI11P06TU | MOSFET P-CH 60V 11.4A I2PAK | 6764 Подробнее о заказе |
|
| NTA4015NT1G | MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 | 174935 Подробнее о заказе |
|
| IRF223 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 818 Подробнее о заказе |
|
| STP24N60M6 | MOSFET N-CH 600V TO220 | 1834 Подробнее о заказе |
|
| STB2N62K3 | MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263 | 867 Подробнее о заказе |
|
| IPB60R055CFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2 | 943 Подробнее о заказе |
|
| STP140N6F7 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220 | 979 Подробнее о заказе |
|
| IXTY1R6N50D2-TRL | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA | 3478 Подробнее о заказе |
|
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 997 Подробнее о заказе |
|
| SCT3120AW7TL | TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7 | 1874 Подробнее о заказе |
| В наличии | 70313 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.99000 | $0.99 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.