Только для справки
| номер части | STB2N62K3 |
| LIXINC Part # | STB2N62K3 |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 620V 2.2A TO263 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | STB2N62K3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | STB2N62K3 |
| Бренд: | STMicroelectronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| ряд: | SuperMESH3™ |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Obsolete |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 620 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.2A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.6Ohm @ 1.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4.5V @ 50µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±30V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 340 pF @ 50 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 45W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | TO-263 (D²Pak) |
| упаковка / чехол: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| IPB60R055CFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 650V 38A TO263-3-2 | 933 Подробнее о заказе |
|
| STP140N6F7 | MOSFET N-CH 60V 80A TO220 | 927 Подробнее о заказе |
|
| IXTY1R6N50D2-TRL | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252AA | 3463 Подробнее о заказе |
|
| SI9407BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO | 964 Подробнее о заказе |
|
| SCT3120AW7TL | TRANS SJT N-CH 650V 21A TO263-7 | 1917 Подробнее о заказе |
|
| PSMN013-100ES,127 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6 | 4933 Подробнее о заказе |
|
| AOD600A70 | MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252 | 3286 Подробнее о заказе |
|
| 2N7002NXBKR | MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB | 18442 Подробнее о заказе |
|
| IPA60R520CP | N-CHANNEL POWER MOSFET | 56324 Подробнее о заказе |
|
| RQ6E045RPTR | MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6 | 3812 Подробнее о заказе |
|
| IRFZ44EPBF | MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB | 4927 Подробнее о заказе |
|
| NTD18N06LG | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK | 991 Подробнее о заказе |
|
| IPB50CN10NGATMA1 | MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3 | 3810 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10980 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.62000 | $1.62 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.