Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB
Увеличить

Только для справки

номер части RQ3E120ATTB
LIXINC Part # RQ3E120ATTB
Производитель ROHM Semiconductor
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD RQ3E120ATTB След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

RQ3E120ATTB Технические характеристики

номер части:RQ3E120ATTB
Бренд:ROHM Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:ROHM Semiconductor
ряд:-
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:P-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:12A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:62 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3200 pF @ 15 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2W (Ta)
Рабочая Температура:150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-HSMT (3.2x3)
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

RQ3E120ATTB Документы

if RQ3E120ATTB PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXFB300N10P IXFB300N10P MOSFET N-CH 100V 300A PLUS264 1591

Подробнее о заказе
TK65S04N1L,LQ TK65S04N1L,LQ MOSFET N-CH 40V 65A DPAK 3496

Подробнее о заказе
VP2106N3-G VP2106N3-G MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 1584

Подробнее о заказе
IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN 1476

Подробнее о заказе
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 927

Подробнее о заказе
IXTH2N150L IXTH2N150L MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 977

Подробнее о заказе
IPD30N06S2L23ATMA1 IPD30N06S2L23ATMA1 MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 905

Подробнее о заказе
FQB50N06TM FQB50N06TM MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK 1179

Подробнее о заказе
STD52P3LLH6 STD52P3LLH6 MOSFET P-CH 30V 52A DPAK 2577

Подробнее о заказе
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG-7 MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 6489

Подробнее о заказе
IPA028N08N3G IPA028N08N3G IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P 6860

Подробнее о заказе
FDS7766 FDS7766 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 12141

Подробнее о заказе
FDMS8350L FDMS8350L MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 3910

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12260 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.66000$0.66
3000$0.22058$661.74
6000$0.20635$1238.1
15000$0.19924$2988.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top