Только для справки
| номер части | IPP037N08N3GXKSA1 |
| LIXINC Part # | IPP037N08N3GXKSA1 |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IPP037N08N3GXKSA1 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 23 - Jan 27 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IPP037N08N3GXKSA1 |
| Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
| ряд: | OptiMOS™ |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 80 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 6V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 3.75mOhm @ 100A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 3.5V @ 155µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 117 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 8110 pF @ 40 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 214W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | PG-TO220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| IXTH2N150L | MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 | 833 Подробнее о заказе |
|
| IPD30N06S2L23ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 876 Подробнее о заказе |
|
| FQB50N06TM | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 1318 Подробнее о заказе |
|
| STD52P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 52A DPAK | 2594 Подробнее о заказе |
|
| DMN2005UFG-7 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | 6505 Подробнее о заказе |
|
| IPA028N08N3G | IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6868 Подробнее о заказе |
|
| FDS7766 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 12127 Подробнее о заказе |
|
| FDMS8350L | MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 | 3862 Подробнее о заказе |
|
| SST214 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1859 Подробнее о заказе |
|
| FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN | 3216 Подробнее о заказе |
|
| PSMN1R4-40YLDX | MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56 | 1976 Подробнее о заказе |
|
| RUM002N05T2L | MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 | 68318 Подробнее о заказе |
|
| IXFQ60N50P3 | MOSFET N-CH 500V 60A TO3P | 3366 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10931 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.05000 | $3.05 |
| 10 | $2.77042 | $27.7042 |
| 100 | $2.25785 | $225.785 |
| 500 | $1.79187 | $895.935 |
| 1000 | $1.51230 | $1512.3 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.