Только для справки
| номер части | TK65S04N1L,LQ |
| LIXINC Part # | TK65S04N1L,LQ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | TK65S04N1L,LQ След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | TK65S04N1L,LQ |
| Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| ряд: | U-MOSVIII-H |
| упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 65A (Ta) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 4.3mOhm @ 32.5A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 300µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2550 pF @ 10 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 107W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | DPAK+ |
| упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| VP2106N3-G | MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 | 1471 Подробнее о заказе |
|
| IRFH5015TRPBF | MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN | 1349 Подробнее о заказе |
|
| IPP037N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 957 Подробнее о заказе |
|
| IXTH2N150L | MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 | 994 Подробнее о заказе |
|
| IPD30N06S2L23ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 951 Подробнее о заказе |
|
| FQB50N06TM | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 1202 Подробнее о заказе |
|
| STD52P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 52A DPAK | 2642 Подробнее о заказе |
|
| DMN2005UFG-7 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | 6606 Подробнее о заказе |
|
| IPA028N08N3G | IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6966 Подробнее о заказе |
|
| FDS7766 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 12089 Подробнее о заказе |
|
| FDMS8350L | MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 | 3772 Подробнее о заказе |
|
| SST214 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1885 Подробнее о заказе |
|
| FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN | 3324 Подробнее о заказе |
| В наличии | 13597 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.90000 | $1.9 |
| 2000 | $0.85033 | $1700.66 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.