Только для справки
| номер части | SCT3022KLGC11 |
| LIXINC Part # | SCT3022KLGC11 |
| Производитель | ROHM Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | SICFET N-CH 1200V 95A TO247N |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SCT3022KLGC11 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SCT3022KLGC11 |
| Бренд: | ROHM Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 1200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 95A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 18V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 28.6mOhm @ 36A, 18V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 5.6V @ 18.2mA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 178 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | +22V, -4V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2879 pF @ 800 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 427W |
| Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-247N |
| упаковка / чехол: | TO-247-3 |
| IPP057N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 | 1774 Подробнее о заказе |
|
| APT48M80L | MOSFET N-CH 800V 49A TO264 | 968 Подробнее о заказе |
|
| TPN1R603PL,L1Q | MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON | 16682 Подробнее о заказе |
|
| DMG7430LFGQ-7 | MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 | 4996 Подробнее о заказе |
|
| FDC5612 | MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 | 1000 Подробнее о заказе |
|
| PMZ370UNE315 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 953 Подробнее о заказе |
|
| SI7112DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 | 7672 Подробнее о заказе |
|
| IXFA7N100P | MOSFET N-CH 1000V 7A TO263 | 877 Подробнее о заказе |
|
| IXTH76N25T | MOSFET N-CH 250V 76A TO247 | 15738 Подробнее о заказе |
|
| FDA24N40F | MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN | 1119 Подробнее о заказе |
|
| SI7370ADP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 | 917 Подробнее о заказе |
|
| FQP32N20C | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 | 1903 Подробнее о заказе |
|
| NTLUS3A18PZCTCG | MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN | 24923 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11666 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $49.58000 | $49.58 |
| 10 | $47.02322 | $470.2322 |
| 25 | $45.74363 | $1143.59075 |
| 100 | $44.78406 | $4478.406 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.