TPN1R603PL,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Увеличить

Только для справки

номер части	TPN1R603PL,L1Q
LIXINC Part #	TPN1R603PL,L1Q
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TPN1R603PL,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TPN1R603PL,L1Q Технические характеристики

номер части:	TPN1R603PL,L1Q
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	U-MOSIX-H
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.6mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.1V @ 300µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	41 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3900 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	104W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-TSON Advance (3.3x3.3)
упаковка / чехол:	8-PowerVDFN

DMG7430LFGQ-7	MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333	4844 Подробнее о заказе
FDC5612	MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6	912 Подробнее о заказе
PMZ370UNE315	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	840 Подробнее о заказе
SI7112DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8	7565 Подробнее о заказе
IXFA7N100P	MOSFET N-CH 1000V 7A TO263	1000 Подробнее о заказе
IXTH76N25T	MOSFET N-CH 250V 76A TO247	15858 Подробнее о заказе
FDA24N40F	MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN	1155 Подробнее о заказе
SI7370ADP-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8	806 Подробнее о заказе
FQP32N20C	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	1941 Подробнее о заказе
NTLUS3A18PZCTCG	MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN	24898 Подробнее о заказе
FQI1P50TU	MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK	827 Подробнее о заказе
IRFP4229PBF	MOSFET N-CH 250V 44A TO247AC	991 Подробнее о заказе
IXTY48P05T	MOSFET P-CH 50V 48A TO252	912 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.96000	$0.96
5000	$0.54338	$2716.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015