Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPP057N08N3GXKSA1

IPP057N08N3GXKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPP057N08N3GXKSA1
LIXINC Part # IPP057N08N3GXKSA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPP057N08N3GXKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jun 15 - Jun 19 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPP057N08N3GXKSA1 Технические характеристики

номер части:IPP057N08N3GXKSA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 90µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:69 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4750 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):150W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

IPP057N08N3GXKSA1 Документы

if IPP057N08N3GXKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

APT48M80L APT48M80L MOSFET N-CH 800V 49A TO264 880

Подробнее о заказе
TPN1R603PL,L1Q TPN1R603PL,L1Q MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON 16646

Подробнее о заказе
DMG7430LFGQ-7 DMG7430LFGQ-7 MOSFET N-CH 30V 10.5A PWRDI3333 4886

Подробнее о заказе
FDC5612 FDC5612 MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 897

Подробнее о заказе
PMZ370UNE315 PMZ370UNE315 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 803

Подробнее о заказе
SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8 7506

Подробнее о заказе
IXFA7N100P IXFA7N100P MOSFET N-CH 1000V 7A TO263 863

Подробнее о заказе
IXTH76N25T IXTH76N25T MOSFET N-CH 250V 76A TO247 15822

Подробнее о заказе
FDA24N40F FDA24N40F MOSFET N-CH 400V 23A TO3PN 1164

Подробнее о заказе
SI7370ADP-T1-GE3 SI7370ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8 982

Подробнее о заказе
FQP32N20C FQP32N20C POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2 1959

Подробнее о заказе
NTLUS3A18PZCTCG NTLUS3A18PZCTCG MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN 24821

Подробнее о заказе
FQI1P50TU FQI1P50TU MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK 987

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11801 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.04000$2.04
10$1.85323$18.5323
100$1.51024$151.024
500$1.19851$599.255
1000$1.01151$1011.51

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top