Только для справки
| номер части | SUP90140E-GE3 |
| LIXINC Part # | SUP90140E-GE3 |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | SUP90140E-GE3 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | SUP90140E-GE3 |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | ThunderFET® |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 90A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 7.5V, 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 17mOhm @ 30A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 96 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 4132 pF @ 100 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 375W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220AB |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 |
| 2SB817D | P-CHANNEL, MOSFET | 19718 Подробнее о заказе |
|
| IMZ120R090M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4 | 970 Подробнее о заказе |
|
| SIRA18DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 | 3942 Подробнее о заказе |
|
| NTD4805N-35G | MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK | 4560 Подробнее о заказе |
|
| BUK9245-55A,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 6709 Подробнее о заказе |
|
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 60V 50A DPAK | 863 Подробнее о заказе |
|
| SI7120ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 3507 Подробнее о заказе |
|
| FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 2026 Подробнее о заказе |
|
| STP35N65DM2 | MOSFET N-CH 650V 32A TO220 | 960 Подробнее о заказе |
|
| FQP3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3 | 1867 Подробнее о заказе |
|
| IRF540PBF | MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB | 5463 Подробнее о заказе |
|
| BSR606NH6327XTSA1 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 30027 Подробнее о заказе |
|
| SI1302DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 | 4314 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11040 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $3.50000 | $3.5 |
| 10 | $3.12162 | $31.2162 |
| 100 | $2.55973 | $255.973 |
| 500 | $2.07276 | $1036.38 |
| 1000 | $1.74811 | $1748.11 |
| 2500 | $1.66070 | $4151.75 |
| 5000 | $1.59827 | $7991.35 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.