FDP020N06B-F102

FDP020N06B-F102
Увеличить

Только для справки

номер части FDP020N06B-F102
LIXINC Part # FDP020N06B-F102
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDP020N06B-F102 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDP020N06B-F102 Технические характеристики

номер части:FDP020N06B-F102
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tube
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:120A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:268 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:20930 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):333W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:TO-220-3
упаковка / чехол:TO-220-3

Продукты, которые могут вас заинтересовать

STP35N65DM2 STP35N65DM2 MOSFET N-CH 650V 32A TO220 828

Подробнее о заказе

FQP3P20 FQP3P20 MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3 1944

Подробнее о заказе

IRF540PBF IRF540PBF MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB 5549

Подробнее о заказе

BSR606NH6327XTSA1 BSR606NH6327XTSA1 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 29972

Подробнее о заказе

SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 4198

Подробнее о заказе

SQD40N06-14L_GE3 SQD40N06-14L_GE3 MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA 856

Подробнее о заказе

APT34F60S APT34F60S MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK 1041

Подробнее о заказе

IRFPS40N60KPBF IRFPS40N60KPBF MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247 1063

Подробнее о заказе

DMP6023LFGQ-7 DMP6023LFGQ-7 MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8 992

Подробнее о заказе

SI4160DY-T1-GE3 SI4160DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO 1324

Подробнее о заказе

2SK2158-T2B-A 2SK2158-T2B-A SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 246868

Подробнее о заказе

AO4294 AO4294 MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SO 1973

Подробнее о заказе

IPD100N04S4L02ATMA1 IPD100N04S4L02ATMA1 IPD100N04 - 20V-40V N-CHANNEL AU 40625

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11918 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$5.39000$5.39
10$4.82529$48.2529
100$3.98355$398.355
800$2.95577$2364.616
1600$2.76892$4430.272

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top