Только для справки
| номер части | 2SB817D |
| LIXINC Part # | 2SB817D |
| Производитель | Rochester Electronics |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | P-CHANNEL, MOSFET |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | 2SB817D След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | 2SB817D |
| Бренд: | Rochester Electronics |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Rochester Electronics |
| ряд: | * |
| упаковка: | Bulk |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | - |
| напряжение сток-исток (vdss): | - |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | - |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | - |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | - |
| Рабочая Температура: | - |
| тип крепления: | - |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| IMZ120R090M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4 | 916 Подробнее о заказе |
|
| SIRA18DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 | 3824 Подробнее о заказе |
|
| NTD4805N-35G | MOSFET N-CH 30V 12.7A/95A IPAK | 4584 Подробнее о заказе |
|
| BUK9245-55A,118 | TRANSISTOR >30MHZ | 6865 Подробнее о заказе |
|
| TJ50S06M3L(T6L1,NQ | MOSFET P-CH 60V 50A DPAK | 839 Подробнее о заказе |
|
| SI7120ADN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8 | 3488 Подробнее о заказе |
|
| FDP020N06B-F102 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 1939 Подробнее о заказе |
|
| STP35N65DM2 | MOSFET N-CH 650V 32A TO220 | 966 Подробнее о заказе |
|
| FQP3P20 | MOSFET P-CH 200V 2.8A TO220-3 | 2042 Подробнее о заказе |
|
| IRF540PBF | MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB | 5477 Подробнее о заказе |
|
| BSR606NH6327XTSA1 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 29929 Подробнее о заказе |
|
| SI1302DL-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 | 4212 Подробнее о заказе |
|
| SQD40N06-14L_GE3 | MOSFET N-CH 60V 40A TO252AA | 869 Подробнее о заказе |
| В наличии | 19734 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.55000 | $1.55 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.