BSC014N04LSTATMA1

BSC014N04LSTATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC014N04LSTATMA1
LIXINC Part # BSC014N04LSTATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 40V 33A/100A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC014N04LSTATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC014N04LSTATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC014N04LSTATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):40 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:33A (Ta), 100A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:85 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:6020 pF @ 20 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):3W (Ta), 115W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8 FL
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

DMN2400UFB-7 DMN2400UFB-7 MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN 26475

Подробнее о заказе

SQR70090ELR_GE3 SQR70090ELR_GE3 MOSFET N-CH 100V 86A DPAK 1132

Подробнее о заказе

SI4848ADY-T1-GE3 SI4848ADY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 5.5A 8SOIC 4762

Подробнее о заказе

TK10A60W,S4VX TK10A60W,S4VX MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS 968

Подробнее о заказе

SI1302DL-T1-BE3 SI1302DL-T1-BE3 MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3 3847

Подробнее о заказе

SSM3J56MFV,L3F SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM 192687

Подробнее о заказе

BSO051N03MSGXUMA1 BSO051N03MSGXUMA1 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI 3474

Подробнее о заказе

IXFA270N06T3 IXFA270N06T3 MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA 82708

Подробнее о заказе

NVMFS5C406NT1G NVMFS5C406NT1G MOSFET N-CH 40V 52A/353A 5DFN 904

Подробнее о заказе

IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK 3252

Подробнее о заказе

STP200NF03 STP200NF03 MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB 803

Подробнее о заказе

SI7636DP-T1-E3 SI7636DP-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8 3821

Подробнее о заказе

RJK0657DPA-00#J5A RJK0657DPA-00#J5A MOSFET N-CH 60V 20A 8WPAK 21808

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 15900 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.44000$2.44
5000$1.21935$6096.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top