GA10JT12-263 | GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 | GA10JT12-263 Inventory, Best Pricing

GA10JT12-263

Увеличить

Только для справки

номер части	GA10JT12-263
LIXINC Part #	GA10JT12-263
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	TRANS SJT 1200V 25A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GA10JT12-263 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jun 02 - Jun 06 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GA10JT12-263 Технические характеристики

номер части:	GA10JT12-263
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	-
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	25A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 10A
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1403 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	170W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	-
упаковка / чехол:	-

SSM3K35AMFV,L3F	MOSFET N-CH 20V 250MA VESM	37844 Подробнее о заказе
DMN2028UFDF-13	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN	823 Подробнее о заказе
TK10P60W,RVQ	MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK	2447 Подробнее о заказе
PSMN7R0-30YL115/BKN	N-CHANNEL POWER MOSFET	850 Подробнее о заказе
H5N2901FN-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4165 Подробнее о заказе
ZXMP10A17E6QTA	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26	309766878 Подробнее о заказе
BSP613PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4	896 Подробнее о заказе
NTMFS4835NT1G	MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN	2147484616 Подробнее о заказе
PMN35EN,115	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	211931 Подробнее о заказе
IPD380P06NMATMA1	MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3	866 Подробнее о заказе
IRLR024TRLPBF	MOSFET N-CH 60V 14A DPAK	933 Подробнее о заказе
DMN10H120SFG-13	MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333	996 Подробнее о заказе
IXFN32N100Q3	MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B	848 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015