Только для справки
| номер части | GA10JT12-263 |
| LIXINC Part # | GA10JT12-263 |
| Производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | TRANS SJT 1200V 25A |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | GA10JT12-263 След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | GA10JT12-263 |
| Бренд: | GeneSiC Semiconductor |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | GeneSiC Semiconductor |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | - |
| технологии: | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 1200 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 25A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | - |
| rds on (max) @ id, vgs: | 120mOhm @ 10A |
| vgs(th) (макс.) @ id: | - |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | - |
| ВГС (макс.): | - |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1403 pF @ 800 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 170W (Tc) |
| Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
| тип крепления: | Surface Mount |
| пакет устройств поставщика: | - |
| упаковка / чехол: | - |
| SSM3K35AMFV,L3F | MOSFET N-CH 20V 250MA VESM | 37859 Подробнее о заказе |
|
| DMN2028UFDF-13 | MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN | 826 Подробнее о заказе |
|
| TK10P60W,RVQ | MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK | 2352 Подробнее о заказе |
|
| PSMN7R0-30YL115/BKN | N-CHANNEL POWER MOSFET | 844 Подробнее о заказе |
|
| H5N2901FN-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 4211 Подробнее о заказе |
|
| ZXMP10A17E6QTA | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26 | 309766855 Подробнее о заказе |
|
| BSP613PH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4 | 924 Подробнее о заказе |
|
| NTMFS4835NT1G | MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN | 2147484596 Подробнее о заказе |
|
| PMN35EN,115 | SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI | 212003 Подробнее о заказе |
|
| IPD380P06NMATMA1 | MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3 | 974 Подробнее о заказе |
|
| IRLR024TRLPBF | MOSFET N-CH 60V 14A DPAK | 941 Подробнее о заказе |
|
| DMN10H120SFG-13 | MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333 | 863 Подробнее о заказе |
|
| IXFN32N100Q3 | MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B | 918 Подробнее о заказе |
| В наличии | 11122 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $20.74000 | $20.74 |
| 10 | $18.85539 | $188.5539 |
| 50 | $17.44137 | $872.0685 |
| 100 | $16.02723 | $1602.723 |
| 250 | $14.61310 | $3653.275 |
| 500 | $13.67031 | $6835.155 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.