TK10P60W,RVQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

Увеличить

Только для справки

номер части	TK10P60W,RVQ
LIXINC Part #	TK10P60W,RVQ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK10P60W,RVQ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK10P60W,RVQ Технические характеристики

номер части:	TK10P60W,RVQ
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	DTMOSIV
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	9.7A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	430mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.7V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	20 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	700 pF @ 300 V
Фет-функция:	Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):	80W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DPAK
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PSMN7R0-30YL115/BKN	N-CHANNEL POWER MOSFET	811 Подробнее о заказе
H5N2901FN-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4285 Подробнее о заказе
ZXMP10A17E6QTA	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26	309766938 Подробнее о заказе
BSP613PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4	937 Подробнее о заказе
NTMFS4835NT1G	MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN	2147484601 Подробнее о заказе
PMN35EN,115	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	211939 Подробнее о заказе
IPD380P06NMATMA1	MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3	812 Подробнее о заказе
IRLR024TRLPBF	MOSFET N-CH 60V 14A DPAK	970 Подробнее о заказе
DMN10H120SFG-13	MOSFET N-CH 100V 3.8A PWRDI3333	881 Подробнее о заказе
IXFN32N100Q3	MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B	926 Подробнее о заказе
IXTA3N120-TRL	MOSFET N-CH 1200V 3A TO263	3282 Подробнее о заказе
NDF08N50ZH	MOSFET N-CH 500V 8.5A TO220FP	259979 Подробнее о заказе
BSS84,215	MOSFET P-CH 50V 130MA TO236AB	43731 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.89000	$2.89
2000	$1.29211	$2584.22

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015