IPT015N10N5ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPT015N10N5ATMA1 | IPT015N10N5ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPT015N10N5ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPT015N10N5ATMA1
LIXINC Part #	IPT015N10N5ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPT015N10N5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPT015N10N5ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPT015N10N5ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	300A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.5mOhm @ 150A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.8V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	211 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	16000 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	375W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HSOF-8-1
упаковка / чехол:	8-PowerSFN

DMP6023LSS-13	MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO	894 Подробнее о заказе
DMS3016SFG-7	MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8	928 Подробнее о заказе
STV270N4F3	MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO	847 Подробнее о заказе
GA10JT12-263	TRANS SJT 1200V 25A	1165 Подробнее о заказе
SSM3K35AMFV,L3F	MOSFET N-CH 20V 250MA VESM	37901 Подробнее о заказе
DMN2028UFDF-13	MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN	975 Подробнее о заказе
TK10P60W,RVQ	MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK	2346 Подробнее о заказе
PSMN7R0-30YL115/BKN	N-CHANNEL POWER MOSFET	856 Подробнее о заказе
H5N2901FN-E	N-CHANNEL POWER MOSFET	4146 Подробнее о заказе
ZXMP10A17E6QTA	MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26	309766912 Подробнее о заказе
BSP613PH6327XTSA1	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4	810 Подробнее о заказе
NTMFS4835NT1G	MOSFET N-CH 30V 13A/130A 5DFN	2147484464 Подробнее о заказе
PMN35EN,115	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	211890 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$7.84000	$7.84
2000	$4.28089	$8561.78

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015