SIR404DP-T1-GE3

SIR404DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR404DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR404DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR404DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR404DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR404DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:60A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):2.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:1.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:97 nC @ 4.5 V
ВГС (макс.):±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8130 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):6.25W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IXTQ100N25P IXTQ100N25P MOSFET N-CH 250V 100A TO3P 922

Подробнее о заказе

NTBG160N120SC1 NTBG160N120SC1 TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK 7906408

Подробнее о заказе

APT7F100B APT7F100B MOSFET N-CH 1000V 7A TO247 905

Подробнее о заказе

DMN3018SSS-13 DMN3018SSS-13 MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO 10887

Подробнее о заказе

IPB60R125C6ATMA1 IPB60R125C6ATMA1 MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK 1531

Подробнее о заказе

IRFI9Z14GPBF IRFI9Z14GPBF MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3 1613

Подробнее о заказе

IRFP243 IRFP243 N-CHANNEL POWER MOSFET 1091

Подробнее о заказе

PMT280ENEAX PMT280ENEAX MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 1042

Подробнее о заказе

IRFR9110PBF IRFR9110PBF MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK 2068

Подробнее о заказе

FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3 845

Подробнее о заказе

IPP65R225C7 IPP65R225C7 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 923

Подробнее о заказе

FDP150N10 FDP150N10 MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3 903

Подробнее о заказе

BUK9880-55/CU135 BUK9880-55/CU135 N-CHANNEL POWER MOSFET 99854

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 14995 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.11000$2.11
3000$2.11000$6330
6000$2.03185$12191.1

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top