NTBG160N120SC1 | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTBG160N120SC1

NTBG160N120SC1

Увеличить

Только для справки

номер части	NTBG160N120SC1
LIXINC Part #	NTBG160N120SC1
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	TRANS SJT N-CH 1200V 19.5A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTBG160N120SC1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 27 - Jan 31 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTBG160N120SC1 Технические характеристики

номер части:	NTBG160N120SC1
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	19.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	20V
rds on (max) @ id, vgs:	224mOhm @ 12A, 20V
vgs(th) (макс.) @ id:	4.3V @ 2.5mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	33.8 nC @ 20 V
ВГС (макс.):	+25V, -15V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	678 pF @ 800 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	136W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D2PAK-7
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

APT7F100B	MOSFET N-CH 1000V 7A TO247	932 Подробнее о заказе
DMN3018SSS-13	MOSFET N CH 30V 7.3A 8-SO	10777 Подробнее о заказе
IPB60R125C6ATMA1	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK	1382 Подробнее о заказе
IRFI9Z14GPBF	MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3	1564 Подробнее о заказе
IRFP243	N-CHANNEL POWER MOSFET	1005 Подробнее о заказе
PMT280ENEAX	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	993 Подробнее о заказе
IRFR9110PBF	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK	2165 Подробнее о заказе
FCP165N65S3R0	MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3	952 Подробнее о заказе
IPP65R225C7	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	865 Подробнее о заказе
FDP150N10	MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3	988 Подробнее о заказе
BUK9880-55/CU135	N-CHANNEL POWER MOSFET	99951 Подробнее о заказе
RM135N100T2	MOSFET N-CH 100V 135A TO220-3	909 Подробнее о заказе
IRLR7843TRLPBF	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK	3859 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$9.22000	$9.22

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015