IPB60R125C6ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB60R125C6ATMA1 | IPB60R125C6ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB60R125C6ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB60R125C6ATMA1
LIXINC Part #	IPB60R125C6ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB60R125C6ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB60R125C6ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB60R125C6ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Not For New Designs
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	30A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 960µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	96 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2127 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	219W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFI9Z14GPBF	MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3	1527 Подробнее о заказе
IRFP243	N-CHANNEL POWER MOSFET	1015 Подробнее о заказе
PMT280ENEAX	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223	968 Подробнее о заказе
IRFR9110PBF	MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK	2068 Подробнее о заказе
FCP165N65S3R0	MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3	952 Подробнее о заказе
IPP65R225C7	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	869 Подробнее о заказе
FDP150N10	MOSFET N-CH 100V 57A TO220-3	859 Подробнее о заказе
BUK9880-55/CU135	N-CHANNEL POWER MOSFET	99899 Подробнее о заказе
RM135N100T2	MOSFET N-CH 100V 135A TO220-3	815 Подробнее о заказе
IRLR7843TRLPBF	MOSFET N-CH 30V 161A DPAK	3773 Подробнее о заказе
FQA46N15	MOSFET N-CH 150V 50A TO3P	976 Подробнее о заказе
IPT60R028G7XTMA1	MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF	5428 Подробнее о заказе
SIRA32DP-T1-RE3	MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8	1888 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015