Только для справки
| номер части | IRFIBC40G |
| LIXINC Part # | IRFIBC40G |
| Производитель | Vishay / Siliconix |
| Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Описание | MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3 |
| Жизненный цикл | Активный |
| RoHS | Нет информации RoHS |
| Модели EDA/CAD | IRFIBC40G След и символ печатной платы |
| Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
| Расчетная доставка | Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку) |
| Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
| Оплата |
|
| Перевозки | ![]() |
| номер части: | IRFIBC40G |
| Бренд: | Vishay / Siliconix |
| Жизненный цикл: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Категория: | дискретный полупроводник |
| Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
| Производитель: | Vishay / Siliconix |
| ряд: | - |
| упаковка: | Tube |
| статус детали: | Active |
| тип фета: | N-Channel |
| технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
| напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
| ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 3.5A (Tc) |
| напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
| rds on (max) @ id, vgs: | 1.2Ohm @ 2.1A, 10V |
| vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
| заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 60 nC @ 10 V |
| ВГС (макс.): | ±20V |
| входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1300 pF @ 25 V |
| Фет-функция: | - |
| рассеиваемая мощность (макс.): | 40W (Tc) |
| Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| тип крепления: | Through Hole |
| пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
| упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| NTMFS4839NHT3G | MOSFET N-CH 30V 9.5A/64A 5DFN | 10890 Подробнее о заказе |
|
| EFC4612R-S-TR | MOSFET N-CH 24V 6A EFCP | 918 Подробнее о заказе |
|
| IXTY1R4N120PHV | MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252 | 964 Подробнее о заказе |
|
| NTF3055-160T1 | MOSFET N-CH 60V 2A SOT223 | 52690 Подробнее о заказе |
|
| IXFN90N170SK | SICFET N-CH 1700V 90A SOT227B | 969 Подробнее о заказе |
|
| IAUS165N08S5N029ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 165A HSOG-8 | 1951 Подробнее о заказе |
|
| SQM120N10-09_GE3 | MOSFET N-CH 100V 120A TO263 | 866 Подробнее о заказе |
|
| IPI80N06S2L11AKSA2 | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | 41304 Подробнее о заказе |
|
| IPD096N08N3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3 | 833 Подробнее о заказе |
|
| STP5N105K5 | MOSFET N-CH 1050V 3A TO220 | 1717 Подробнее о заказе |
|
| IXTA2N100P-TRL | MOSFET N-CH 1000V 2A TO263 | 876 Подробнее о заказе |
|
| SIHB22N60E-GE3 | MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK | 7733 Подробнее о заказе |
|
| FQB7P20TM-F085 | MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK | 1302 Подробнее о заказе |
| В наличии | 10812 - Подробнее о заказе |
|---|---|
| Лимит котировки | Безлимитный |
| Время выполнения | Подтвердить |
| Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $4.94505 | $4.94505 |
| 1000 | $4.94505 | $4945.05 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.