IPD096N08N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPD096N08N3GATMA1 | IPD096N08N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPD096N08N3GATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPD096N08N3GATMA1
LIXINC Part #	IPD096N08N3GATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPD096N08N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 26 - Jan 30 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPD096N08N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPD096N08N3GATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	73A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	9.6mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 46µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2410 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	100W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-TO252-3
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

STP5N105K5	MOSFET N-CH 1050V 3A TO220	1780 Подробнее о заказе
IXTA2N100P-TRL	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263	825 Подробнее о заказе
SIHB22N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	7832 Подробнее о заказе
FQB7P20TM-F085	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK	1379 Подробнее о заказе
R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3434 Подробнее о заказе
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1861 Подробнее о заказе
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2098 Подробнее о заказе
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	975 Подробнее о заказе
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	976 Подробнее о заказе
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10678 Подробнее о заказе
AOB282L	MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263	868 Подробнее о заказе
FQNL2N50BTA	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0	20815 Подробнее о заказе
DMP6185SE-13	MOSFET P-CH 60V 3A SOT223	3049 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015