IPI80N06S2L11AKSA2 | Rochester Electronics IPI80N06S2L11AKSA2 | IPI80N06S2L11AKSA2 Inventory, Best Pricing

IPI80N06S2L11AKSA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPI80N06S2L11AKSA2
LIXINC Part #	IPI80N06S2L11AKSA2
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPI80N06S2L11AKSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jan 25 - Jan 29 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPI80N06S2L11AKSA2 Технические характеристики

номер части:	IPI80N06S2L11AKSA2
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	11mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 93µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	80 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2075 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	158W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO262-3
упаковка / чехол:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

IPD096N08N3GATMA1	MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3	843 Подробнее о заказе
STP5N105K5	MOSFET N-CH 1050V 3A TO220	1710 Подробнее о заказе
IXTA2N100P-TRL	MOSFET N-CH 1000V 2A TO263	882 Подробнее о заказе
SIHB22N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK	7723 Подробнее о заказе
FQB7P20TM-F085	MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK	1220 Подробнее о заказе
R6004ENDTL	MOSFET N-CH 600V 4A CPT3	3394 Подробнее о заказе
IXFH230N075T2	MOSFET N-CH 75V 230A TO247AD	1852 Подробнее о заказе
FQPF18N20V2	MOSFET N-CH 200V 18A TO220F	2082 Подробнее о заказе
IPW60R250CPFKSA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	858 Подробнее о заказе
BUK7Y6R0-60EX	MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56	858 Подробнее о заказе
IPD70N04S307ATMA1	N-CHANNEL POWER MOSFET	10765 Подробнее о заказе
AOB282L	MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263	867 Подробнее о заказе
FQNL2N50BTA	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 0	20852 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.88000	$0.88
500	$0.88000	$440

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

sales@lixincchip.com

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015