Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
sales@lixincchip.com
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

SPW12N50C3FKSA1

SPW12N50C3FKSA1
Увеличить

Только для справки

номер части SPW12N50C3FKSA1
LIXINC Part # SPW12N50C3FKSA1
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 560V 11.6A TO247-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SPW12N50C3FKSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Jan 24 - Jan 28 2026(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SPW12N50C3FKSA1 Технические характеристики

номер части:SPW12N50C3FKSA1
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:CoolMOS™
упаковка:Tube
статус детали:Obsolete
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):560 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:11.6A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:380mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.9V @ 500µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:49 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:1.2 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Through Hole
пакет устройств поставщика:PG-TO247-3
упаковка / чехол:TO-247-3

SPW12N50C3FKSA1 Документы

if SPW12N50C3FKSA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

NDS351AN NDS351AN MOSFET N-CH 30V 1.4A SUPERSOT3 8296

Подробнее о заказе
STL7N6LF3 STL7N6LF3 MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT 6272

Подробнее о заказе
SI8429DB-T1-E1 SI8429DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V 11.7A 4MICROFOOT 12785

Подробнее о заказе
AOB288L AOB288L MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263 951

Подробнее о заказе
RM50P30D3 RM50P30D3 MOSFET P-CHANNEL 30V 50A 8DFN 843

Подробнее о заказе
STH260N6F6-2 STH260N6F6-2 MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-2 1587

Подробнее о заказе
STD18N65M5 STD18N65M5 MOSFET N-CH 650V 15A DPAK 974

Подробнее о заказе
IMBG120R045M1HXTMA1 IMBG120R045M1HXTMA1 TRANS SJT N-CH 1.2KV 47A TO263 917

Подробнее о заказе
FDR840P FDR840P MOSFET P-CH 20V 10A SUPERSOT8 295276

Подробнее о заказе
DMTH10H010LCTB-13 DMTH10H010LCTB-13 MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB 1619

Подробнее о заказе
IPB100N12S305ATMA1 IPB100N12S305ATMA1 MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 814

Подробнее о заказе
BSC120N03LSGATMA1 BSC120N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 12A/39A TDSON 33762

Подробнее о заказе
NTD20N03L27-1G NTD20N03L27-1G MOSFET N-CH 30V 20A IPAK 24600

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11060 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.47000$1.47

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
sales@lixincchip.com
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top